买卖IC网 >> 产品目录 >> IXXN110N65C4H1 IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IXXN110N65C4H1

库存数量:可订货
制造商:Ixys
描述:IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
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制造商 Ixys
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 1.98 V
在25 C的连续集电极电流 210 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 750 W
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 SOT-227B-4
封装 Tube
相关资料
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697 雷春艳
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部 0755-23603360 江先生
深圳市悦兴晨电子科技有限公司 0755-8281200482811605 朱先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市创乐电子科技有限公司 13554877245 李创华
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-23941632 朱先生/李小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491434(微信同号) 刘春兰
  • IXXN110N65C4H1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价